BS170 N-Kanal MOSFET TO-92

Der BS170 ist ein N-Kanal-MOSFET, verpackt in einem kompakten TO-92-Gehäuse. Dieser MOSFET-Typ ist ideal für den Einsatz in Schaltungen mit niedriger Spannung und Stromstärke, wie kleine Signaltransistoren.

Wichtigste Spezifikationen:

• Drain-Source-Spannung (Vds): 60V
• Gate-Source-Spannung (Vgs): ±20V (kontinuierlich), ±40V (nicht repetitiv)
• Drainstrom (Id): 0.5A
• Gesamte Verlustleistung: 350 mW bei 25°C
• Betriebstemperatur: -55°C bis +150°C
• Gate-Threshold-Spannung (Vgs(Th)): 0.8V bis 3.0V
• On-Widerstand (Rds(on)): Maximal 5 Ω bei Vgs = 10V
• Schaltzeiten: Einschalt- und Ausschaltzeit von 4-10 Nanosekunden

Der BS170 bietet dank kurzer Schaltzeiten hervorragende Leistung in schnellen Schaltanwendungen und eignet sich unter anderem für kleine Leistungsregler und Signalverstärker.